由留德人員發起，聯合歐盟第三代半導體實驗室和西北工業大學理學院，南京大學微電子學院，西安電子科技大學等國內外研究機構和知名專家，研發團隊的技術水平為國際領先，可以較高成功率穩定產出4英寸和6英寸SiC單晶晶圓，未來該技術發展方向為大尺寸SiC單晶制備生產批量成熟技術和前沿半導體技術。該成果可廣泛應用于新能源車、太陽能風能、電力電子、高鐵、電源、雷達、5G通信、航空航天、機器人等高精尖領域。